FQP34N20 Power MOSFET, N Channel, 200 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220, Through Hole

Αξιολόγηση: Δεν αξιολογήθηκε ακόμη
ΚατασκευαστήςONSEMI
Διαθεσιμότητα : Σε stock 4 Προϊόν(ντα) Άμεσα Διαθέσιμο
Κωδικός προϊόντος :FR-1839004

Βάρος και διαστάσεις προϊόντος

Βάρος προϊόντος: 0.0050KG
3,50 €
Χωρίς ΦΠΑ : 2,82 €

Περιγραφή

ONSEMI FQP34N20  Power MOSFET, N Channel, 200 V, 31 A,

0.06 ohm, TO-220, Through Hole

 

The FQP34N20 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

  • 100% avalanche tested
  • 60nC typical low gate charge
  • 55pF typical low Crss

 

Channel Type: N Channel
Transistor Polarity: N Channel
Continuous Drain Current Id: 31A
Drain Source Voltage Vds:  
Drain Source On State Resistance: 0.06ohm
On Resistance Rds(on): 0.06ohm
Rds(on) Test Voltage: 10V
Transistor Mounting: Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max: 5V
Power Dissipation Pd: 180W
Transistor Case Style: TO-220
Power Dissipation: 180W
No. of Pins: 3
Operating Temperature Max: 150°C

 

 

DataSheet :

ONSM-S-A0003585150-1.pdf

 

Γνώμες πελατών

Τελευταίες Κριτικές

Δεν υπάρχουν αξιολογήσεις για το προϊόν ακόμη.
τώρα γράψτε ένα μικρό σχόλιο....(ελάχ. 100, μέγ.. 2000 χαρακτήρες)
Πρώτα: αξιολογείστε το προϊόν. Παρακαλώ επιλέξτε αξιολόγηση μεταξύ 0 (φτωχότερο) και 5 αστεριών (καλύτερο). Αξιολόγηση :
γραμμένοι χαρακτήρες: